英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

銷售國內(nèi)外電力電子器件和功率模塊；主要經(jīng)銷德國infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達，美國IR，瑞士ABB，英國西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭

英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3

IGBT

IGBT是什么？

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT與MOSFET的對比

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

• 優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

• 缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

• 特點：擊穿電壓可達1200V，集電極最大飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT的典型應(yīng)用

• 電動機

• 不間斷電源

• 太陽能面板安裝

• 電焊機

• 電源轉(zhuǎn)換器與反相器

• 電感充電器

• 電磁爐