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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

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Miniskiip運(yùn)用了彈簧壓接技術(shù)，Miniskiip系列中含有CIB結(jié)構(gòu)的模塊，這些CIB模塊既穩(wěn)定且集成度很高，包括整流，逆變和剎車結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)可用于驅(qū)動(dòng)37KW的電機(jī)。MiniSKiiP擁有較高電流密度，它用了壓接技術(shù)并且有良好的功率循環(huán)能力，MiniSKiiP系列IGBT模塊是擁有高可靠性，適用范圍廣且高性的模塊。MiniSKiiP包括了CIB結(jié)構(gòu)還有三相的逆變結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)有四種封裝

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